VTG · 先看懂電荷怎麼走
先看改了哪裡，再跟著電荷經過交界，最後看留下什麼。
立體剖面、清楚分層、固定鏡位。把注意力留給電荷與交界。
通用剖面 · 非比例。摻雜區以顏色辨識；藍點是在剖面上的電荷群投影。
局部低谷，讓一部分電荷較難離開。
這個低谷，和 PPD 原本存電荷的位能井一樣嗎？
PPD 本來就利用位能井儲存光生電荷；TG ON 後，希望這些電荷能順利轉移到 FD。這張圖把 PPD 區域簡化為參考線 0，沒有畫出完整的深度方向位能井。PPD 右邊的藍色凹陷，是沿橫向轉移路徑額外出現的局部低谷（pocket），可能拖慢清空。
pocket 描述的是空間上的位能分布，不是矽被挖了一個凹洞，也不等同於介面缺陷的捕捉能階；這裡未模擬缺陷捕捉／釋放。
為什麼電子位能 U 和電位 φ 的高低相反？
電子帶負電。若 U 用焦耳表示，U = −eφ + C，e 是基本電荷的正值，C 是參考常數；因此電位 φ 升高，電子的靜電位能降低。eV 是能量單位，V 是電位／電壓單位。TG 施加的電壓是控制輸入，不能直接把它的數字當成此曲線的 Y 軸。
查證來源與模型說明
這是通用平面 TG 剖面重建，非 SEM、非產品結構、未經 TCAD 校準。摻雜區的藍灰色只是辨識覆色，沒有挖空矽；藍點不是電子真實尺寸或軌跡。
位能圖以 PPD 位能當作零點，Y 軸 U 使用 eV；橫軸為示意路徑位置，不是時間、深度或實際距離。顯示的是 TG ON 時的相對位能參考，不會因剖面停在 OFF 的辨識步驟而自動變成 OFF 曲線。能障標記取原有合成曲線的起點／谷底到出口的能量差，不是實測參數。
使用合成轉移模型。相同案例、相同操作與轉移比例，顯示方式僅改變材質、照明與鏡頭。氧化層的厚度與剖面尺寸為辨識而誇張。overlap 的局部 pocket 是固定教學案例：程式直接加入局部低谷項，並未用幾何與摻雜求解 Poisson 方程。因此不能據此斷言覆蓋不足必然產生低谷，也不能推出所有產品的量化關係。真實位能由摻雜、幾何、TG／FD 偏壓與儲存電荷共同決定，需以製程校準的 TCAD 與量測確認。
- VTG Engineering 原教學頁
- Han, Yao & Theuwissen · A Charge Transfer Model for CMOS Image Sensors
- Cao et al. · Measurement of Charge Transfer Potential Barrier
- Total-Ionizing Dose Effects on Charge Transfer Efficiency and Image Lag：僅沿用 pocket 機制，輻射情境不等同 overlap 不足。
- Acerbi et al. · Transfer-gate region optimization（Fig. 5–7）：其 TCAD 案例顯示，threshold-adjustment implant 配置能改變導帶能量梯度並避免 pocket。這支持「摻雜與閘極區配置影響位能接續」，不是本例 overlap 與低谷深度的定量校準。
- NIST · 電子伏特的能量單位定義
- MIT · 電位與電位能：U = qV